Atomic-Layer-Deposited SnO2 as Gate Electrode for Indium-Free Transparent Electronics

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标题	Atomic-Layer-Deposited SnO2 as Gate Electrode for Indium-Free Transparent Electronics 原子层沉积SnO2作为无铟透明电子器件栅电极相关领域材料科学 NMOS逻辑光电子学晶体管薄膜晶体管电极阈值电压柔性电子器件电气工程图层（电子）纳米技术电压工程类化学物理化学
网址	https://doi.org/10.1002/aelm.201700155
DOI	10.1002/aelm.201700155 doi
其它	期刊：Advanced electronic materials 作者：Fwzah H. Alshammari; Mrinal K. Hota; Zhenwei Wang; Hala Al-Jawhari; Husam N. Alshareef 出版日期：2017-08-04
求助人	陶然在 2024-06-29 13:38:44 发布自浙江，悬赏 10 积分
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