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 P‐2: Nitrogen Behaviors in PEALD‐Grown SiO2 Films Using N2O Plasma Reactant and Its Application in ALD‐IZO TFTs P-2：使用N2O等离子体反应物的PEALD生长SiO2薄膜中的氮行为及其在ALD-IZO TFTs中的应用
相关领域
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材料科学
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薄膜晶体管
氮气
分析化学（期刊）
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硅
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量子力学
物理
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期刊：SID Symposium Digest of Technical Papers 作者：Dong-Gyu Kim; Kwang Su Yoo; Hye‐Mi Kim; Jin‐Seong Park 出版日期：2022-06-01 |
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