Subnanometer Ga2O3 Tunnelling Layer by Atomic Layer Deposition to Achieve 1.1 V Open-Circuit Potential in Dye-Sensitized Solar Cells

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标题	Subnanometer Ga2O3 Tunnelling Layer by Atomic Layer Deposition to Achieve 1.1 V Open-Circuit Potential in Dye-Sensitized Solar Cells 原子层沉积亚纳米Ga2O3隧道层在染料敏化太阳能电池中实现1.1 V开路电位相关领域原子层沉积量子隧道色素敏化染料材料科学激子开路电压图层（电子）电解质光电子学化学分析化学（期刊）纳米技术物理化学电极量子力学物理电压色谱法
网址	https://doi.org/10.1021/nl301023r
DOI	10.1021/nl301023r doi
其它	期刊：Nano Letters 作者：Aravind Kumar Chandiran; Nicolas Tétreault; Robin Humphry‐Baker; Florian Kessler; Etienne Baranoff; et al 出版日期：2012-07-06
求助人	姜糊在 2024-08-19 21:29:57 发布自广东，悬赏 10 积分
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