Normally-off AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si substrate with selective barrier regrowth in ohmic regions

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标题	Normally-off AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si substrate with selective barrier regrowth in ohmic regions 欧姆区选择性势垒再生长的Si衬底常闭AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管相关领域欧姆接触高电子迁移率晶体管光电子学材料科学晶体管制作阻挡层基质（水族馆）阈值电压图层（电子）电压纳米技术电气工程工程类病理地质学海洋学替代医学医学
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6641/abecab
DOI	10.1088/1361-6641/abecab doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Weihong Jiang; H. Tang; J. A. Bardwell 出版日期：2021-03-26
求助人	yyru 在 2024-09-03 20:35:24 发布自江苏，悬赏 10 积分
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