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 Based on 0.15μm GaAs Process X-Band Low Power Low Noise Amplifier 基于0.15 μ m GaAs工艺的X波段低功耗低噪声放大器
相关领域
放大器
低噪声放大器
噪声系数
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直接耦合放大器
电子工程
全差分放大器
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仪表放大器
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物理
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宇宙学
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期刊： 作者：Zhao Wang; Zeyu Zhao; Yang Lu; Lin Yang; Chupeng Yi; et al 出版日期：2023-11-27 |
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