标题 |
Hydride vapor phase epitaxy for gallium nitride substrate
氮化镓衬底的氢化物气相外延
相关领域
外延
氮化镓
氢化物
材料科学
镓
基质(水族馆)
气相
氮化物
光电子学
晶体生长
Crystal(编程语言)
纳米技术
结晶学
化学
冶金
计算机科学
图层(电子)
热力学
金属
地质学
程序设计语言
物理
海洋学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Journal of Semiconductors 作者:Jun Hu; Hongyuan Wei; Shaoyan Yang; Chengming Li; Huijie Li; et al 出版日期:2019-10-01 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|