| 标题 |
 Interface trap-enhanced gate-induced leakage current in MOSFET MOS器件中界面陷阱增强型栅感应漏电流
相关领域
MOSFET
二极管
泄漏（经济）
光电子学
量子隧道
退火（玻璃）
材料科学
存水弯（水管）
电气工程
分析化学（期刊）
化学
原子物理学
物理
晶体管
工程类
电压
色谱法
经济
复合材料
气象学
宏观经济学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：I.-C. Chen; C.W. Teng; D. J. Coleman; Akitoshi Nishimura Akitoshi Nishimura 出版日期：1989-05-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
陈军
完美的天空
8R60d8
穆紫
Singularity
坚强的广山
不配.
iNk
带头大哥
寻道图强
shinysparrow
pluto
HEIKU
好困
不懈奋进
夏来
毛豆爸爸
Yziii
海4015
paparazzi221
皖公网安备34019202002308
