| 标题 |
 Selective etching mechanism of silicon oxide against silicon by hydrogen fluoride: a density functional theory study 氟化氢选择性刻蚀氧化硅机理的密度泛函理论研究
相关领域
氟化氢
蚀刻（微加工）
硅
密度泛函理论
无水的
氧化物
氢
氢氟酸
化学
半导体
材料科学
分析化学（期刊）
无机化学
纳米技术
计算化学
光电子学
图层（电子）
有机化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
嗯哼
寻道图强
带头大哥
黑糖珍珠
tuanheqi
cctv18
pluto
shinysparrow
maox1aoxin
竹筏过海
VDC
xiaofei666
聒噪的小黄瓜
jyy
充电宝
WWXWWX
Arjun
8R60d8
安静的滑板
材小白
皖公网安备34019202002308
