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标题
Study of Highly Stable Nitrogen-Doped a-InGaSnO Thin-Film Transistors
高稳定性氮掺杂a-InGaSnO薄膜晶体管的研究
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网址
https://doi.org/10.1109/jeds.2024.3424545
AI链接 doi.orgdoi.org
DOI
10.1109/jeds.2024.3424545 doi
其它 期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society
作者：Wenyang Zhang; Lu Li; Chenfei Li; W. Jiang; Wenzhao Wang; et al
出版日期：2024-01-01
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evens 在 2024-11-07 08:55:49 发布自湖南，悬赏 10 积分
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