| 标题 |
 Study of Highly Stable Nitrogen-Doped a-InGaSnO Thin-Film Transistors 高稳定性氮掺杂a-InGaSnO薄膜晶体管的研究
相关领域
X射线光电子能谱
兴奋剂
薄膜晶体管
材料科学
无定形固体
阈值电压
光电子学
氮气
分析化学（期刊）
晶体管
纳米技术
结晶学
物理
化学
电压
图层（电子）
核磁共振
有机化学
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Wenyang Zhang; Lu Li; Chenfei Li; W. Jiang; Wenzhao Wang; et al 出版日期：2024-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
不配.
个性的紫菜
彭于彦祖
浅尝离白
Singularity
ShowMaker
薰硝壤
shinysparrow
yupaopao
好困
Cloud
pcr163
iNk
kento
乐乐乐乐乐乐
Yziii
加菲丰丰
寻道图强
元谷雪
爱静静
皖公网安备34019202002308
