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First Demonstration of GAA Monolayer-MoS2 Nanosheet nFET with 410μA μ m ID 1V VD at 40nm gate length
在40nm栅极长度下具有410 μ A μ M ID 1V VD的GAA单层-MoS2纳米片nFET的首次演示
相关领域
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期刊:2022 International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者:Yun-Yan Chung; Bo-Jhih Chou; Chen-Feng Hsu; Wei‐Sheng Yun; Ming‐Yang Li; et al 出版日期:2022-12-03 |
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