Improved lateral figure-of-merit of heteroepitaxial α-Ga2O3 power MOSFET using ferroelectric AlScN gate stack

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标题	Improved lateral figure-of-merit of heteroepitaxial α-Ga2O3 power MOSFET using ferroelectric AlScN gate stack 铁电AlScN栅叠层异质外延α-Ga2O3功率MOSFET横向品质因数的改进相关领域铁电性堆栈（抽象数据类型）功勋材料科学 MOSFET 光电子学电气工程晶体管计算机科学电压工程类电介质程序设计语言
网址	https://doi.org/10.1063/5.0232200
DOI	10.1063/5.0232200 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：S. Y. Oh; S. Yoon; Youngsam Lim; Gyuhyung Lee; Geonwook Yoo 出版日期：2024-11-04
求助人	哒哒哒在 2024-11-07 20:13:41 发布自日本，悬赏 10 积分
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