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 Comparisons of switching characteristics between Ti/Al2O3/Pt and TiN/Al2O3/Pt RRAM devices with various compliance currents Ti/Al2O3/Pt和TiN/Al2O3/Pt RRAM器件在不同柔电流下开关特性的比较
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Yanyuan Qi; Chengzhi Zhao; Chenguang Liu; Yuxiao Fang; Jiahuan He; et al 出版日期：2018-03-06 |
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