| 标题 |
 Intermedial annealing process applied during the growth of quantum wells and its influence on the performance of GaN-based laser diodes 量子阱生长过程中的中间退火工艺及其对GaN基激光二极管性能的影响
相关领域
材料科学
退火（玻璃）
光致发光
光电子学
金属有机气相外延
量子阱
电致发光
化学气相沉积
二极管
外延
激光器
发光二极管
量子效率
发光
光学
图层（电子）
纳米技术
复合材料
物理
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Optics Express 作者：Feng Liang; Degang Zhao; Zongshun Liu; Ping Chen; Jing Yang 出版日期：2022-01-18 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
寻道图强
随机子
爱静静
梁朝伟
tuanheqi
Noel
嗯哼
Meredith
全球
个性的紫菜
杳鸢
iNk
吉祥
shinysparrow
陈军
张子捷
一杯茶
pcr163
浅惜
HEIKU
皖公网安备34019202002308
