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 Highly Stable Thin-Film Transistors Based on Indium Oxynitride Semiconductor 基于氧氮化铟半导体的高稳定性薄膜晶体管
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Hyoung-Do Kim; Jong Heon Kim; Kyung Park; Yun Chang Park; Sunkook Kim; et al 出版日期：2018-04-18 |
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