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 High endurance (>1012) via optimized polarization switching ratio for Hf0.5Zr0.5O2-based FeRAM Hf0.5Zr 0.5 O2基FeRAM通过优化偏振开关比实现高耐久性（>1012）
相关领域
铁电性
铁电RAM
材料科学
极化（电化学）
光电子学
电压
随机存取存储器
电气工程
计算机科学
电介质
化学
物理化学
计算机硬件
工程类
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| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Jiachen Li; He Wang; Xinzhe Du; Luo Zhi; Yuchen Wang; et al 出版日期：2023-02-20 |
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