Formation and Applications in Electronic Devices of Lattice-Aligned Gallium Oxynitride Nanolayer on Gallium Nitride

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标题	Formation and Applications in Electronic Devices of Lattice-Aligned Gallium Oxynitride Nanolayer on Gallium Nitride 氮化镓上晶格取向氮氧镓纳米层的形成及其在电子器件中的应用相关领域材料科学氮化镓纤锌矿晶体结构光电子学外延宽禁带半导体纳米技术镓半导体带隙锌冶金图层（电子）
网址	http://dx.doi.org/10.1002/adma.202208960
DOI	10.1002/adma.202208960 doi
求助人	三三在 2024-04-27 18:26:40 发布自吉林，悬赏 10 积分
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