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 A High‐Entropy‐Oxides‐Based Memristor: Outstanding Resistive Switching Performance and Mechanisms in Atomic Structural Evolution 基于高熵氧化物的忆阻器：出色的电阻开关性能和原子结构演化机制
相关领域
材料科学
X射线光电子能谱
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尖晶石
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期刊：Advanced Materials 作者：Jenn-Kai Tsai; Jui-Yuan Chen; Chun‐Wei Huang; Hung‐Yang Lo; Wei‐En Ke; et al 出版日期：2023-09-01 |
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