标题 |
Effects of Intrinsic Defects on the Carrier Lifetime in CdZnTe: Insights from Ab Initio Calculations
本征缺陷对CdZnTe载流子寿命的影响:从头计算的见解
相关领域
重组
电子迁移率
载流子寿命
材料科学
半导体
联轴节(管道)
空位缺陷
载流子
电子
从头算
分子物理学
光电子学
原子物理学
凝聚态物理
化学物理
化学
物理
基因
量子力学
生物化学
有机化学
冶金
硅
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:The Journal of Physical Chemistry Letters 作者:Hongqin Chu; Jin Zhao; F. Yang; Zhenpeng Hu 出版日期:2025-01-23 |
求助人 | |
下载 | 暂无链接,等待应助者上传 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|