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 Enhanced analog switching and neuromorphic performance of ZnO-based memristors with indium tin oxide electrodes for high-accuracy pattern recognition 用于高精度模式识别的具有氧化铟锡电极的ZnO基忆阻器的增强模拟开关和神经形态性能
相关领域
材料科学
神经形态工程学
记忆电阻器
光电子学
氧化铟锡
电极
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肖特基二极管
电子工程
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二极管
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期刊：Journal of Chemical Physics 作者：Muhammad Ismail; Maria Rasheed; Yongjin Park; Sohyeon Lee; Chandreswar Mahata; et al 出版日期：2024-10-01 |
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