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 Ferroelectric Polarization Coupling Effect in BiFeO3/α‐In2Se3 Ferroelectric Field Effect Transistor for Stable Non‐volatile Memory 用于稳定非易失性存储器的BiFeO3/α-In2Se3铁电场效应晶体管中的铁电极化耦合效应
相关领域
铁电性
材料科学
电介质
光电子学
场效应晶体管
制作
非易失性存储器
退火（玻璃）
氧化物
极化（电化学）
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纳米技术
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期刊：Small 作者：Y.-N. Wang; Yuchen Cai; Shu‐Hui Li; Xueying Zhan; Ruiqing Cheng; et al 出版日期：2024-12-24 |
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