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Impact of <inline-formula> <tex-math notation="TeX">${\hbox{V}}_{\rm pass} $</tex-math></inline-formula> Interference on Charge-Trapping NAND Flash Memory Devices
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期刊:IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者:Yi‐Hsuan Hsiao; Hang-Ting Lue; Wei‐Chen Chen; Kai‐Chun Chang; Bing‐Yue Tsui; et al 出版日期:2015-06-01 |
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