一种Cs3Cu2I5紫外探测器及其薄膜制备方法

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标题	专利、报告等一种Cs3Cu2I5紫外探测器及其薄膜制备方法
备注	知网的专利
网址	https://kns.cnki.net/kcms2/article/abstract?v=mtmIrHeyR2vh58...
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	申请(专利)号： CN201910885570.6申请日： 2019-09-19 申请公布号： CN110611014A申请公布日： 2019-12-24 申请人：深圳第三代半导体研究院地址： 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼发明人：唐孝生; 曾凡菊; 胡伟; 张孟; 叶怀宇; 张国旗专辑：信息科技专题：无线电电子学主分类号： H01L31/18 分类号： H01L31/18 国省代码： 44
求助人	微笑在 2025-03-19 09:31:21 发布自北京，悬赏 30 积分
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