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 Enhancing Reliability of Short-Channel Dual Gate InGaZnO Thin Film Transistors by Bottom-Gate Oxide Engineering 通过底栅氧化物工程提高短沟道双栅InGaZnO薄膜晶体管的可靠性
相关领域
薄膜晶体管
材料科学
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Kuan‐Ju Zhou; Ting‐Chang Chang; Po-Yu Yen; Yuan Chen; Ya-Ting Chien; et al 出版日期：2024-04-01 |
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