Achieving High Field-Effect Mobility Exceeding 90 cm2/Vs in a-IGZTO Transistors With Excellent Reliability

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标题	Achieving High Field-Effect Mobility Exceeding 90 cm2/Vs in a-IGZTO Transistors With Excellent Reliability 在具有优异可靠性的a-IGZTO晶体管中实现超过90 cm2/Vs的高场效应迁移率相关领域数学算法
网址	https://doi.org/10.1109/led.2023.3317856
DOI	10.1109/led.2023.3317856 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Bang Ju Park; Sang Won Chung; Min Jae Kim; Heung Jo Lee; Jae Hoon Bae; et al 出版日期：2023-09-21
求助人	canjian1943 在 2024-12-15 11:55:14 发布自河南，悬赏 10 积分
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