Efficiency degradation induced by surface defects-assisted tunneling recombination in GaN/InGaN micro-light-emitting diodes

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标题	Efficiency degradation induced by surface defects-assisted tunneling recombination in GaN/InGaN micro-light-emitting diodes GaN/InGaN微型发光二极管表面缺陷辅助隧穿复合引起的效率退化相关领域发光二极管光电子学量子隧道材料科学二极管量子效率重组电致发光光致发光宽禁带半导体化学生物化学基因
网址	https://doi.org/10.1063/5.0033703
DOI	10.1063/5.0033703 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Jian Yin; Ehsan Fathi; Hossein Zamani Siboni; Chao Xu; Dayan Ban 出版日期：2021-01-11
求助人	旋风小土豆在 2024-12-16 10:43:31 发布自陕西，悬赏 10 积分
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