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 N-type polysilicon passivating contacts using ultra-thin PECVD silicon oxynitrides as the interfacial layer 以超薄PECVD氧氮化硅为界面层的N型多晶硅钝化触点
相关领域
材料科学
氮化硅
硅
等离子体增强化学气相沉积
多晶硅耗尽效应
钝化
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期刊：Solar Energy Materials and Solar Cells 作者：Wenhao Chen; Josua Stuckelberger; Wenjie Wang; Sieu Pheng Phang; Daniel Macdonald; et al 出版日期：2021-10-01 |
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