标题 |
First-principles and thermodynamic analysis for gas phase reactions and structures of the SiC(0001) surface under conventional CVD and Halide CVD environments
常规CVD和卤化物CVD环境下SiC(0001)表面气相反应和结构的第一性原理和热力学分析
相关领域
卤化物
化学气相沉积
外延
气相
吸附
硅
沉积(地质)
相(物质)
气相
化学
材料科学
物理化学
化学工程
化学物理
纳米技术
无机化学
热力学
图层(电子)
有机化学
古生物学
工程类
物理
生物
沉积物
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Kenta Chokawa; Yoshiaki Daigo; Ichiro Mizushima; Takashi Yoda; Kenji Shiraishi 出版日期:2021-07-26 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|