Device and material investigations of GaN enhancement-mode transistors for Venus and harsh environments

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标题	Device and material investigations of GaN enhancement-mode transistors for Venus and harsh environments 用于Venus和恶劣环境的GaN增强型晶体管的器件和材料研究相关领域维纳斯材料科学光电子学晶体管宽禁带半导体模式（计算机接口）纳米技术工程物理计算机科学物理天体生物学电气工程工程类电压操作系统
网址	https://doi.org/10.1063/5.0186976
DOI	10.1063/5.0186976 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Qingyun Xie; John Niroula; Nitul S. Rajput; Mengyang Yuan; Shisong Luo; et al 出版日期：2024-04-22
求助人	xde的玩偶在 2024-09-30 16:15:24 发布自山东，悬赏 10 积分
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