标题 |
Device and material investigations of GaN enhancement-mode transistors for Venus and harsh environments
用于Venus和恶劣环境的GaN增强型晶体管的器件和材料研究
相关领域
维纳斯
材料科学
光电子学
晶体管
宽禁带半导体
模式(计算机接口)
纳米技术
工程物理
计算机科学
物理
天体生物学
电气工程
工程类
电压
操作系统
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DOI | |
其它 |
期刊:Applied Physics Letters 作者:Qingyun Xie; John Niroula; Nitul S. Rajput; Mengyang Yuan; Shisong Luo; et al 出版日期:2024-04-22 |
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