Current transport mechanism of AlGaN-channel Schottky barrier diode with extremely low leakage current and high blocking voltage of 2.55 kV

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标题	Current transport mechanism of AlGaN-channel Schottky barrier diode with extremely low leakage current and high blocking voltage of 2.55 kV 极低漏电流2.55 kV高阻断电压AlGaN沟道肖特基势垒二极管的电流传输机制相关领域热离子发射光电子学材料科学二极管反向漏电流阳极肖特基二极管量子隧道阴极工作职能肖特基势垒宽禁带半导体电气工程电子图层（电子）纳米技术化学电极物理物理化学工程类量子力学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0077691
DOI	10.1063/5.0077691 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Tao Zhang; Yanni Zhang; Li Ruohan; Juan Lu; Huake Su; et al 出版日期：2022-02-28
求助人	hehe 在 2024-11-12 20:34:19 发布自广东，悬赏 10 积分
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