标题 |
Reduced trap state density in AlGaN/GaN HEMTs with low-temperature CVD-grown BN gate dielectric
低温CVD生长BN栅介质AlGaN/GaN HEMT中陷阱态密度的降低
相关领域
材料科学
光电子学
存水弯(水管)
宽禁带半导体
电介质
物理
气象学
|
网址 | |
DOI | |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|