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 Impact of HfO2 Dielectric Layer Placement in Hf0.5Zr0.5O2‐Based Ferroelectric Tunnel Junctions for Neuromorphic Applications Hf0.5Zr 0.5 O2基铁电隧道结中HfO2介电层放置对神经形态应用的影响
相关领域
铁电性
材料科学
神经形态工程学
电介质
光电子学
量子隧道
半导体
非易失性存储器
人工神经网络
计算机科学
机器学习
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期刊：Advanced materials and technologies 作者：J. Kim; Yongjin Park; Jung Woo Lee; Eunjin Lim; Jung‐Kyu Lee; et al 出版日期：2024-03-08 |
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