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标题
Source-field-plated Ga2O3 MOSFET with a breakdown voltage of 550 V
源极场镀Ga2O3 MOSFET，击穿电压为550 V
相关领域
材料科学 击穿电压 光电子学 栅极电介质 MOSFET 饱和电流 化学气相沉积 金属有机气相外延 场效应晶体管 随时间变化的栅氧化层击穿 兴奋剂 分析化学（期刊） 原子层沉积 晶体管 栅氧化层 基质（水族馆） 阈值电压 图层（电子） 电介质 饱和（图论） 电压 纳米技术 外延 电气工程 化学 数学 工程类 海洋学 色谱法 组合数学 地质学
网址
https://doi.org/10.1088/1674-4926/40/1/012803
DOI
10.1088/1674-4926/40/1/012803 doi
其它 期刊：Journal of Semiconductors
作者：Yuanjie Lü; Xubo Song; Zezhao He; Yuangang Wang; Xin Tan; et al
出版日期：2019-01-01
求助人
内向新儿 在 2025-02-12 14:22:15 发布自中国，悬赏 10 积分
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