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 Performance enhancement of InGaN based near ultraviolet LEDs with asymmetric staggered quantum wells 非对称交错量子阱增强InGaN基近紫外LED的性能
相关领域
发光二极管
光电子学
量子阱
紫外线
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量子力学
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期刊：Optical and Quantum Electronics 作者：Chao-Zhi Xu; Lie Cai; Zhichao Chen; Haoxiang Lin; Kai Niu; et al 出版日期：2023-12-14 |
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