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 Simulations of Anisotropic Monolayer GaSCl for p-Type Sub-10 nm High-Performance and Low-Power FETs p型亚10 nm高性能低功率场效应晶体管各向异性单层GaSCl的模拟
相关领域
材料科学
单层
光电子学
功率（物理）
各向异性
纳米技术
光学
物理
量子力学
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Hongtao Shi; S. Y. Yang; Huipu Wang; Dupeng Ding; Yang Hu; et al 出版日期：2024-07-16 |
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