Simulations of Anisotropic Monolayer GaSCl for p-Type Sub-10 nm High-Performance and Low-Power FETs

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标题	Simulations of Anisotropic Monolayer GaSCl for p-Type Sub-10 nm High-Performance and Low-Power FETs p型亚10 nm高性能低功率场效应晶体管各向异性单层GaSCl的模拟相关领域材料科学单层光电子学功率（物理）各向异性纳米技术光学量子力学物理
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.4c06320 AI链接 nih.govdoi.org
DOI	10.1021/acsami.4c06320 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Hongtao Shi; S. Y. Yang; Huipu Wang; Dupeng Ding; Yang Hu; et al 出版日期：2024-07-16
求助人	个性的半凡在 2024-10-10 21:29:27 发布自天津，悬赏 10 积分
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