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High-responsivity, high-detectivity, broadband infrared photodetector based on MoS2/BP/MoS2 junction field-effect transistor
基于MoS2/BP/MoS2结场效应晶体管的高响应、高探测率、宽带红外光探测器
相关领域
响应度
光电探测器
比探测率
光电子学
光电流
材料科学
探测器
光电导性
晶体管
红外线的
场效应晶体管
光学
物理
电压
量子力学
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期刊:Applied physics letters 作者:Xiaochuang Shu; Jianfeng Wu; Fan Zhong; Xinlei Zhang; Qiang Fu; et al 出版日期:2024-04-29 |
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