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 Epitaxial growth of 3C–SiC films on 4 in. diam (100) silicon wafers by atmospheric pressure chemical vapor deposition 3C碳化硅薄膜在4英寸上的外延生长。常压化学气相沉积diam（100）硅片
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Christian A. Zorman; Aaron J. Fleischman; A.S. Dewa; Mehran Mehregany; Chacko Jacob; et al 出版日期：1995-10-15 |
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