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 Thin-film InGaN multiple-quantum-well light-emitting diodes transferred from Si (111) substrate onto copper carrier by selective lift-off 选择性剥离法从Si（111）衬底转移到铜载体上的InGaN薄膜多量子阱发光二极管
相关领域
材料科学
光电子学
发光二极管
光致发光
量子阱
铜
薄膜
基质（水族馆）
二极管
光学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Baijun Zhang; Takashi Egawa; Hiroyasu Ishikawa; Yang Liu; Takashi Jimbo 出版日期：2005-02-08 |
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