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标题
Device modeling of two-steps oxygen anneal-based submicron InGaZnO back-end-of-line field-effect transistor enabling short-channel effects suppression
抑制短沟道效应的基于两步氧退火的亚微米InGaZnO后端场效应晶体管的器件建模
相关领域
材料科学 阈值电压 CMOS芯片 光电子学 晶体管 场效应晶体管 生产线后端 可扩展性 阈下传导 电子工程 电压 纳米技术 电气工程 计算机科学 工程类 数据库 电介质
网址
https://www.nature.com/articles/s41598-022-23951-x.pdf
AI链接 nature.com nature.com doaj.org nih.gov nih.govdoi.org
DOI
10.1038/s41598-022-23951-x doi
其它 期刊：Scientific Reports
作者：Donguk Kim; Je-Hyuk Kim; Woo Sik Choi; Tae Jun Yang; Jun Tae Jang; et al
出版日期：2022-11-12
求助人
木木 在 2025-04-25 15:34:33 发布自福建，悬赏 10 积分
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