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Pressure-induced ferroelectric and electronic transitions in two-dimensional ferroelectric semiconductor of NbOCl2 up to 41.7 GPa
高达41.7 GPa的NbOCl2二维铁电半导体中的压力诱导铁电和电子跃迁
相关领域
铁电性
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期刊:Applied physics letters 作者:M. Hong; Lidong Dai; Haiying Hu; Xinyu Zhang; Chuang Li 出版日期:2024-03-11 |
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