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 SiGe and Si Gate-All-Around FET Fabricated by Selective Etching the Same Epitaxial Layers 通过选择性蚀刻相同外延层制备SiGe和Si全栅场效应晶体管
相关领域
外延
材料科学
薄脆饼
蚀刻（微加工）
光电子学
退火（玻璃）
硅
纳米技术
图层（电子）
冶金
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期刊：2022 6th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) 作者：Wei-Yuan Chang; Guang-Li Luo; Yi-Shuo Huang; Chun-Lin Chu; Yao-Jen Lee; et al 出版日期：2022-03-06 |
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