Intrinsic free carrier absorption limited THz generation from Bi2Te3 and Bi2Se3 topological insulators

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标题	Intrinsic free carrier absorption limited THz generation from Bi2Te3 and Bi2Se3 topological insulators Bi2Te3和Bi2Se3拓扑绝缘体的本征自由载流子吸收限制THz产生相关领域拓扑绝缘体飞秒载流子材料科学吸收（声学）激发光电子学波长自由载流子吸收穿透深度衰减电子迁移率载流子密度衰减长度太赫兹辐射免费承运人凝聚态物理光学激光器物理复合材料兴奋剂量子力学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0195204
DOI	10.1063/5.0195204 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Anand Nivedan; Sunil Kumar 出版日期：2024-02-26
求助人	虫二先生在 2025-02-27 11:04:16 发布自陕西，悬赏 10 积分
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