标题 |
Elimination of splash damage for smaller scribe widths in next-gen memory devices via stealth dicing
通过隐形切割消除下一代存储器件中较小划线宽度的飞溅损伤
相关领域
飞溅
晶片切割
材料科学
纳米技术
机械工程
薄脆饼
工程类
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DOI | |
其它 |
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing 作者:Dao Kun Lim; Venkata Rama Satya Pradeep Vempaty; Aibin Yu; Wen How Sim; Harjashan Veer Singh 出版日期:2024-06-21 |
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