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GaN-on-sapphire JTE-anode lateral field-effect rectifier for improved breakdown voltage (>2.5 kV) and dynamic RON
用于提高击穿电压(>2.5 kV)和动态RON的蓝宝石上GaN JTE阳极横向场效应整流器
相关领域
阳极
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Jiawei Cui; Junjie Yang; Jingjing Yu; Teng Li; Han Yang; et al 出版日期:2024-10-21 |
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