| 标题 |
 Engineering Ferroelectric‐/Ion‐Modulated Conductance in 2D vdW CuInP2S6 for Non‐Volatile Digital Memory and Artificial Synapse 用于非易失数字存储器和人工突触的2D vdW CuInP2S6工程铁电/离子调制电导
相关领域
材料科学
电导
非易失性存储器
离子
铁电性
光电子学
极化（电化学）
神经形态工程学
人工神经网络
凝聚态物理
电介质
计算机科学
机器学习
物理化学
化学
物理
量子力学
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| 备注 |
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| 网址 | |
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| 其它 |
期刊：Advanced Functional Materials 作者：Wenjuan Ci; Peng Wang; Wuhong Xue; Hongtao Yuan; Xiaohong Xu 出版日期：2024-02-15 |
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