Current transport mechanisms of InGaN metal-insulator-semiconductor photodetectors

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标题	Current transport mechanisms of InGaN metal-insulator-semiconductor photodetectors InGaN金属-绝缘体-半导体光电探测器的电流输运机制相关领域光电探测器响应度材料科学光电子学光电效应暗电流光电导性化学气相沉积半导体原子层沉积耗尽区异质结薄膜纳米技术
网址	https://doi.org/10.1116/1.3622298
DOI	10.1116/1.3622298 doi
其它	期刊：Journal of vacuum science and technology 作者：Zhenguang Shao; D. J. Chen; Бо Лю; Hai Lu; Z. L. Xie; et al 出版日期：2011-08-11
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