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 > 6 MW peak power at 532 nm from passively Q-switched Nd:YAG/Cr^4+:YAG microchip laser 被动调Q Nd：YAG/Cr^4+：YAG微芯片激光器在532 nm处的峰值功率>6 MW
相关领域
材料科学
光学
激光器
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Q开关
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光电子学
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功率（物理）
光纤激光器
物理
量子力学
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期刊：Optics Express 作者：Rakesh Bhandari; Takunori Taira 出版日期：2011-09-20 |
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