Advancing High-Performance Memristors Enabled by Position-Controlled Grain Boundaries in Controllably Grown Star-Shaped MoS2

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标题	Advancing High-Performance Memristors Enabled by Position-Controlled Grain Boundaries in Controllably Grown Star-Shaped MoS2 可控生长星形MoS2中位置控制晶界实现高性能忆阻器相关领域记忆电阻器晶界明星（博弈论）材料科学职位（财务）纳米技术光电子学工程物理物理微观结构冶金天体物理学电气工程工程类财务经济
网址	https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c04642
DOI	10.1021/acs.nanolett.4c04642 doi
其它	期刊：Nano Letters 作者：Shangui Lan; Fangyuan Zheng; Chang‐Chun Ding; Yukun Hong; Baoyu Wang; et al 出版日期：2024-11-22
求助人	木木在 2024-11-27 21:53:22 发布自天津，悬赏 10 积分
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