High-Quality Doped Polycrystalline Silicon Using Low-Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD)

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标题	High-Quality Doped Polycrystalline Silicon Using Low-Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) 利用低压化学气相沉积（LPCVD）获得高质量掺杂多晶硅相关领域多晶硅化学气相沉积硅材料科学钝化薄脆饼兴奋剂二氯硅烷分析化学（期刊）微晶图层（电子）化学工程纳米技术光电子学化学冶金有机化学薄膜晶体管工程类
网址	https://doi.org/10.1016/j.egypro.2018.09.014
DOI	10.1016/j.egypro.2018.09.014 doi
其它	期刊：Energy Procedia 作者：Pradeep Padhamnath; Naomi Nandakumar; Buatis Jammaal Kitz; Nagarajan Balaji; Marvic-John Naval; et al 出版日期：2018-09-01
求助人	酷炫的语梦在 2024-12-27 11:45:30 发布自江苏，悬赏 10 积分
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