Physical analysis of β-Ga2O3 gate-all-around nanowire junctionless transistors: short-channel effects and temperature dependence

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标题	Physical analysis of β-Ga2O3 gate-all-around nanowire junctionless transistors: short-channel effects and temperature dependence β-Ga2O3全栅纳米线无结晶体管的物理分析：短沟道效应和温度依赖性相关领域硅纳米线晶体管纳米线硅材料科学光电子学场效应晶体管制作阈值电压纳米技术电压物理量子力学医学病理替代医学
网址	https://doi.org/10.1007/s10825-021-01837-x
DOI	10.1007/s10825-021-01837-x doi
其它	期刊：Journal of Computational Electronics 作者：Aida Motamedi; Ali A. Orouji; Dariush Madadi 出版日期：2022-01-28
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