Wet Oxide Etching of Dual Gate Oxide for 0.13μm Technologies and Beyond: Interaction with Photoresist and Equipment

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标题	Wet Oxide Etching of Dual Gate Oxide for 0.13μm Technologies and Beyond: Interaction with Photoresist and Equipment 用于0.13 μ m及以上工艺的双栅氧化物湿法刻蚀：与光刻胶和设备的相互作用相关领域光刻胶材料科学氧化物蚀刻（微加工）栅氧化层对偶（语法数字）冶金光电子学纳米技术电气工程晶体管工程类文学类艺术电压图层（电子）
网址	https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.92.85
DOI	10.4028/www.scientific.net/ssp.92.85 doi
其它	期刊：Solid State Phenomena 作者：Simon Y.M. Chooi; Sang-Yee Loong; Christopher Y. Lim; Zainab Ismail; Tjin-Tjin Tjoa 出版日期：2003-05-01
求助人	JINX 在 2023-11-06 16:25:22 发布自浙江，悬赏 30 积分
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